東芝、任意に容量比率を設定できる携帯電話向け大容量ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを製品化
携帯電話向け大容量ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ新製品の発売について
～ 同一デバイス内で二値領域と多値領域を任意に設定可能 ～
当社は、携帯電話向けに、同一デバイス内にプログラムなどを格納する二値記憶セルとデータ保存用の多値記憶セルを一体化し、任意に容量比率を設定できる＊１、大容量ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ「ｍｏｂｉｌｅＬＢＡ－ＮＡＮＤ」を製品化し、８月からサンプル出荷します。
新製品は、コントローラを内蔵した組み込みメモリで、二値と多値の両方式に対応した独自の制御を追加したものです。一つのメモリチップ上に、高速な書き込みや読み出しに適した二値記憶領域と、素子あたりのデータ保存量を高めた多値記憶領域を、任意の容量で設定することができます。＊１ これによりチップ枚数が減る省スペース構成となり、高密度実装や多機能化に寄与します。
また、新製品は、汎用的なＮＡＮＤインターフェースを採用しているため、従来製品からの置き換えが容易です。加えて、書き込みや消去のブロック管理が不要な論理アドレスアクセス方式の制御機能や、エラー訂正（ＥＣＣ）処理など一連の制御も行います。これにより、ホストコントローラの負荷を低減するとともに、ユーザーによる新たな開発負荷を軽減します。
近年、高画素カメラ機能や音楽プレーヤー機能等を搭載した携帯電話が急増しており、従来のプログラムや通信データ等の書き込みや読み出しに加えて、画像や音楽データを保存する大容量メモリが必要とされています。当社は、このような要望に応えると同時に、機器側の開発の負荷軽減に寄与する製品ラインアップを強化しています。新製品の出荷形態はＭＣＰを中心とし、従来のＭＣＰと同様のＦＢＧＡパッケージを採用します。
＊１ 二値記憶領域は、メモリ容量が２ギガビット、４ギガビット、８ギガビットの各新製品については、用途に応じて各メモリ容量の最大値まで、メモリ容量が１６ギガビット、３２ギガビットの各新製品については、用途に応じて最大８ギガビットまで設定可能です。
■新製品のおもな概要
品名：携帯電話向け大容量
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ
「ｍｏｂｉｌｅＬＢＡ－ＮＡＮＤ」
メモリ容量：２ギガビット
４ギガビット
８ギガビット
１６ギガビット
３２ギガビット
量産規模：１００万個／月
■新製品のおもな特長
１．同一デバイス内に、高速な書き込みや読み出しに適した二値記憶領域と、素子あたりのデータ保存量を高めた多値記憶領域を任意の容量で設定可能です。二値記憶領域は、用途に応じて最大８ギガビットまで設定可能です。＊１
２．汎用的なＮＡＮＤインターフェースを採用しているため、従来製品からの置き換えが容易です。
３．書き込みや消去のブロック管理が不要な論理アドレスアクセス方式の制御機能や、エラー訂正（ＥＣＣ）処理など一連の制御を行います。これにより、ホストコントローラの負荷を低減するとともにユーザーの新たな開発の負荷を軽減します。
＊１ 二値記憶領域は、メモリ容量が２ギガビット、４ギガビット、８ギガビットの各新製品については、用途に応じて各メモリ容量の最大値まで、メモリ容量が１６ギガビット、３２ギガビットの各新製品については、用途に応じて最大８ギガビットまで設定可能です。
■新製品のおもな仕様
インタフェース：標準ＮＡＮＤ型フラッシュメモリインタフェース
（但し、論理アドレスアクセス方式）
電源電圧：コントローラ部分：１．７～１．９５Ｖ
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ部分：１．７～１．９５Ｖ又は２．６～３．３Ｖ
以上
新製品についてのお客様からのお問い合わせ先：
セミコンダクター社メモリ事業部
モバイルメモリ営業担当 ０３－３４５７－３４０１