ＩＲジャパン、ハイサイド用ゲート駆動ＩＣ２品種をサンプル出荷
インターナショナル・レクティファイアー
ハイサイド用ゲート駆動ＩＣ ２品種をサンプル出荷、耐圧６００Ｖ
～スイッチング電源やモーター駆動など広い用途に対応～
パワー・マネジメント（電源管理）技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン（ＩＲジャパン）株式会社（本社：東京都豊島区、江坂文秀代表取締役社長）は２４日、耐圧６００Ｖのハイサイド（＊１）駆動ＩＣ ２品種（「ＩＲＳ２１１７」と「ＩＲＳ２１１８」）のサンプル出荷を開始しました。この２品種は、入力信号が異なり、ＩＲＳ２１１７は非反転入力、ＩＲＳ２１１８は反転入力となっています。モーター制御、照明、スイッチング電源、工作機械、太陽電池パネルの充電器など広範囲の用途で使えます。
ハイサイド駆動回路は、ＩＣ上でフローティング（回路が接地から分離され、浮いている状態）になっているので、最大６００Ｖのオフセット電圧を加えても、外付けのｎチャネルのパワーＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ）を駆動できます。
２品種とも、入力電流は最大値で４０μＡ、出力電圧の振幅は１０Ｖ～２０Ｖです。静止時の消費電流は３４０μＡ（最大値）。出力電流は、吐き出しが２００ｍＡ、吸い込みが４２０ｍＡ（いずれも最小値）です。立ち上がり時間は標準７５ｎｓ、降下時間は標準３５ｎｓ。立ち上がり時の遅延時間は標準１２５ｎｓ、降下時は標準１０５ｎｓです。フォト・カプラーを使って構成した回路と比べて、部品点数を削減でき、回路設計の簡素化が可能です。
接合部の最大温度が１５０℃と高く、ＵＶＬＯ（低電圧ロックアウト）機能も備えているので、信頼性が向上します。入力は、標準のＣＭＯＳ論理出力と互換性があります。
このＩＣは、ＩＲ社独自のラッチ耐性を持つＣＭＯＳ技術により強固なモノリシック構造が可能になりました。高電圧のレベルシフト機能や、電気的ストレスからの保護、高信頼性の絶縁技術を採用したＩＲ社の最新の高耐圧ＩＣ技術を使って製造されています。
サンプル価格は、２品種とも各２６０円の予定です。データシートと画像データはＩＲジャパンのホームページ（www.irf-japan.com）から入手できます。欧州の規制ＲｏＨＳ（特定物質の使用規制）に準拠しています。
＜用語説明＞
１）ハイサイド：大電力スイッチング回路の出力に同極性のパワーＭＯＳＦＥＴ（通常はｎチャネル）を直列に接続して（トーテムポール出力）、ハーフブリッジ回路を構成した場合、上側のＭＯＳＦＥＴをハイサイドＭＯＳＦＥＴ、下側のＭＯＳＦＥＴをローサイドＭＯＳＦＥＴと呼びます。この新製品は、ハイサイドＭＯＳＦＥＴを駆動するＩＣです。
＜インターナショナル・レクティファイアー（ＩＲ(Ｒ)）社について＞
ＩＲ社はパワー・マネジメント（電源管理）技術のリーダーです。ＩＲ社のアナログＩＣ、アナログ／デジタル混在ＩＣ、最先端デバイス、電源回路やモーター制御回路の部品やシステムは、コンピュータ、インバータ・モーター搭載の白物家電製品、照明器具、車載用電子機器、宇宙航空用電子機器など幅広い分野において、機器の小型化、省エネ化、高機能化に貢献しています。本社は米国カリフォルニア州エルセグンド。ＩＲ社のホームページはｗｗｗ．ｉｒｆ．ｃｏｍ。
注：ＩＲ(Ｒ)はＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎの登録商標です。当資料に記載されるその他の製品名の商標はそれぞれの所有者に帰属します。