ＴＤＫと米ＩＢＭ、次世代ＭＲＡＭの共同研究開発を開始
ＩＢＭとＴＤＫ、次世代ＭＲＡＭの共同研究開発を開始
ＩＢＭコーポレーションとＴＤＫ株式会社は、このたびスピン注入磁化反転法を適用した次世代大容量ＭＲＡＭの研究開発を共同で開始しました。
ＭＲＡＭは低消費電力・高速動作・書換え耐性・不揮発性（データ保持に電力を必要としない）の点で、他のメモリー技術と比較し優れた特長を持っております。しかし、これまでＭＲＡＭはコスト効率よく高容量化することが難しく、市場で広範な採用には至っておりません。
ＭＲＡＭの特長を維持しながら、スピン注入磁化反転法を適用することで、現行の磁化反転方式と比較しメモリーセルの小型化が可能となり、コストパフォーマンスよく容量を増やすことが可能となります。すなわちこのことは、ＭＲＡＭが車載、携帯電話、ハンドヘルドコンピュータや産業機器向けの最適なメモリーとなる潜在能力を備えていることを示しています。
ＩＢＭは、ＭＲＡＭメモリー技術開発、ＭＴＪ要素技術の研究開発、メモリーにおけるスピン注入磁化反転法の予測および研究における先駆者です。
ＴＤＫ株式会社は、ＭＲＡＭの記憶素子部にとって必須であるＭＴＪ技術をＨＤＤ向け記録ヘッドに適用し、普及させてきました。
また両社は磁気データ記録のための材料や設計において、多くの研究成果と特許を保有しています。
今回の共同開発では、メモリー単独や混載メモリーで用いられる高密度・高容量のＭＲＡＭを創るため、両社各々で培ってきた新しいメモリー技術や磁性素子開発に関する専門知識を活用していきます。
・ＩＢＭのリサーチ部門に関する詳細は、こちらをご覧ください。
http://www.ibm.com/research
・ＴＤＫに関する詳細は、こちらをご覧ください。
http://www.tdk.co.jp/
＊ＩＢＭはＩＢＭは、Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｂｕｓｉｎｅｓｓ Ｍａｃｈｉｎｅｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎの米国およびその他の国における商標。
その他の会社名、製品名は、各社の登録商標または商標です。