東芝、５６ｎｍプロセスを用いた１６ギガビットのＮＡＮＤ型フラッシュメモリーなど発売
５６ｎｍプロセスを用いたＮＡＮＤ型フラッシュメモリの新製品について
― 業界最大容量１６ギガビットなど製品化 ―
当社は、最先端５６ｎｍ＊１プロセスを用いた１６ギガビット（２ギガバイト）、８ギガビット（１ギガバイト）のＮＡＮＤ型フラッシュメモリを製品化します。１６ギガビットは、１チップあたり業界最大容量＊２となります。
現在市場で主流の８ギガビット品の量産を今月から開始し、本年第２四半期の早期から１６ギガビット品の量産も行う予定です。昨年末からの開発サンプル出荷に続き、本日から順次製品サンプルの出荷を行います。
新製品は、微細化の効果を活かし、前世代比２倍の業界最大容量＊２１６ギガビット品を含むラインアップを実現したのに加え、一度に処理するデータ（ページ）を倍増して書き込み速度も従来比２倍＊３の一秒あたり１０メガバイトに高め、大容量化・高速化を両立しています。
今後も当社は、微細化・多値化の新技術開発を継続するとともに、設備増強や生産効率改善を進め、市場ニーズに応じた供給力とコスト競争力を確保していきます。
＊１ ｎｍ：ナノメートル。１０－９ｍ
＊２ １枚のシリコンチップあたりの容量
＊３ 多値技術を用いた当社従来品の最高速度との比較
【 新製品の概要 】
形 名 容 量 サンプル出荷 量産時期
ＴＣ５８ＮＶＧ３Ｄ１ＤＴＧ００ ８ギガビット ２００７年１月 ２００７年１月
ＴＣ５８ＮＶＧ４Ｄ１ＤＴＧ００ １６ギガビット ２００７年第１四半期 ２００７年第２四半期の早期
【 新製品の主な特長 】
１．最先端５６ｎｍプロセスと素子当たりのデータ保存量を高める多値技術の採用などにより、１チップあたりの容量を前世代の製品の２倍にしています。
２．微細化の効果に加え、次のような高速書き込み技術を導入しています。
・一度に書き込むページサイズを従来の２，１１２バイトから２倍の４，３１４バイトに拡張
・データの処理待ちを低減して高速化するライト・キャッシュ機能を採用
これにより、当社従来品（多値）の２倍にあたる１０メガバイト／秒の高速書き込みを実現しています。
【 新製品の主な仕様 】
添付資料をご参照ください。
【 新製品についてのお客様からのお問い合わせ先 】
メモリ営業部 ファイルメモリ営業担当 ＴＥＬ ０３（３４５７）３４２０
以 上