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ニュースリリースのリリースコンテナ第二倉庫

ニュースサイトなど宛てに広く配信された、ニュースリリース(プレスリリース)、 開示情報、IPO企業情報の備忘録。 大手サイトが順次削除するリリースバックナンバーも、蓄積・無料公開していきます。 ※リリース文中の固有名詞は、発表社等の商標、登録商標です。 ※リリース文はニュースサイト等マスコミ向けに広く公開されたものですが、著作権は発表社に帰属しています。

2025'02.13.Thu
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2007'07.05.Thu

三洋半導体、薄型テレビなど向け超小型ゲートスイッチングドライバICを開発

実装面積を58%低減、応用機器の小型化に貢献
ゲートスイッチングドライバICの開発 


 シリーズ名     超小型ゲートスイッチングドライバIC TND32xシリーズ 
 サンプル出荷    2007年7月 
 生産計画      2007年末 100万個/月 
 サンプル価格   150円 


 三洋半導体株式会社は、先端の薄型テレビ、インバータ照明機器などに最適な、高耐圧で小型パッケージを実現したゲートスイッチングドライバIC TND32xシリーズを開発しました。

 同シリーズは、25Vの高耐圧、0.8Aの高出力電流仕様ながら、業界最小パッケージ(※注1)を実現したデュアル(2回路入り)ドライバICです。液晶テレビのバックライト用インバータドライバやプラズマテレビのプラズマ放電用ドライバ、また、照明機器用インバータドライバなど、映像機器や照明機器に使用されるパワーMOSFET、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ:Insulated Gate Bipolar Transistor)などのゲートドライブ用として、高耐圧・高出力電流・高速スイッチング特性の要求を満たす製品です。

 当社は、「Think GAIA」ビジョンのもと、快適空間をつくり出す機器開発を支え、環境保全に貢献する半導体製品を提案してまいります。


◆主な特長
1.デュアルドライバICとして業界最小・最薄パッケージ搭載(※注1)
 ・VEC8パッケージ(外形寸法:2.8mm×2.9mm×0.75mm)搭載
 ・実装面積を58%削減、厚みを25%薄化 (従来品TSSOP8パッケージと比較)

2.高耐圧、高出力電流、高速スイッチング仕様
 ・デュアルドライバICとして業界最高レベルの電源電圧25V保証
 ・小型でありながら0.8Aの高出力電流仕様
 ・高速スイッチング遅延時間=30nsを達成(VDD=18V、入力容量=1000pF)

※注1:2007年6月26日現在


I.概要
 モータ駆動、放電発光といった電子機器回路では、電力変換用として半導体素子が使用されますが、中でも、高電力を扱う用途については、パワーMOSFET、IGBTといったパワー系半導体スイッチング素子が使用されます。このようなスイッチング素子と、マイコンなどの制御ICとのインターフェースとして、ゲートスイッチングドライバICが必要となります。

 当社はこれまで、独自のExPD(R)(Excellent Performance Power & RF Device)(※注2)シリーズにおいて、複数個のドライバ回路を組み込んだゲートスイッチングドライバICを製品化しています。

 今回開発したゲートスイッチングドライバIC TND32xシリーズは、薄型テレビとして需要が拡大している液晶テレビのバックライト用インバータドライバやプラズマテレビのプラズマ放電用ドライバ、また、照明用インバータドライバなど、映像機器や照明機器に使用されるドライバICの高耐圧・高出力電流・高スイッチング特性の要求を満たす最適な製品です。

 電源電圧25Vの高耐圧、出力電流0.8Aの高出力電流といった、従来品の高信頼性・高性能な特長を継承しながら、業界最小VEC8パッケージへの搭載を可能にしたデュアル(2回路入り)ドライバICです。用途に応じて、デュアルインバータ、デュアルバッファ、インバータ・バッファの3機種を準備しました。また、内蔵素子のプロセスや、チップレイアウトを最適化することで、従来品とほぼ同等の性能を維持しつつ、従来パッケージTSSOP8製品に対して実装面積を58%低減しました。応用機器の小型・薄型化に貢献いたします。 

※注2:ExPD(R)とは、複数のディスクリートをモノリシックに集積し、部品点数削減、低コスト化、高効率化、小型化といったメリットでお客様に貢献する、高付加価値製品シリーズです。「ExPD」は三洋電機の登録商標です。


II.特長
1.デュアルドライバICとして業界最小・最薄パッケージ搭載・小型パッケージVEC8(2.8mm×2.9mm×0.75mmt)への搭載により、従来のTSSOP8パッケージ品に比べて約58%の実装面積低減と、厚みの25%薄化を実現。

2.高耐圧・高出力電流仕様・電源電圧25V保証
 ・出力電流Io+/Io-=0.8A/1.0A(at VDD=18V) 

3.高速スイッチング仕様・MOSFET、IGBTなどの入力容量1000pF製品を30nsで高速動作可能。


III.仕様
 ※ 関連資料参照


◆お客様からのお問い合わせ先 
 三洋半導体株式会社 パワーマネジメント事業本部
 ハイパーデバイス事業部 商品企画部
 〒370-0506 群馬県邑楽郡大泉町坂田1-1-1
 TEL:0276-61-8055 FAX:0276-61-8854

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