松下、富山の半導体工場で４５ｎｍシステムＬＳＩの量産開始
世界初＊、４５ナノ メートル システムＬＳＩの量産を開始
２００７年 ６月より量産開始
＊２００７年６月１９日現在、当社調べ
【要 旨】
松下電器産業株式会社は、世界初の４５ｎｍ（ナノメートル）［１］プロセスによるシステムＬＳＩの量産を富山県 魚津市の半導体３００ｍｍ工場で開始しました。本プロセスによる生産は、従来稼動させている６５ｎｍプロセスを基に、新たなプロセス技術を導入することにより実現しました。４５ｎｍプロセスでは、従来のシステムＬＳＩに比べ回路の高密度化ができるだけでなく、低消費電力、高速化および省チップ面積化が可能となります。これにより、高度ユビキタスネットワークに対応したデジタル家電分野の世界の実現に貢献します。
【効 果】
従来の最も進んだ６５ｎｍプロセスのシステムＬＳＩに比べ、４５ｎｍプロセスでは、電力消費量やチップ面積を約３分の２から約２分の１に削減することが可能です。一方デジタル家電はますます多機能化するため、回路規模が増大し、従来プロセスで過去のシステムＬＳＩと同等の電力消費量や面積を維持することが困難になると言う問題が解決できます。したがって、従来と比較して、高機能かつ、高速、低消費電力が要求されるデジタル家電関連商品の進化に大きく貢献できます。
【特 長】
当社の４５ｎｍプロセスは以下の技術を開発・導入しています。
１．超微細加工の基本性能を決定する、開口率（ＮＡ）［２］が１を超える液浸ＡｒＦスキャナー［３］の導入と、当社独自の超解像形成技術［４］
２．微細化において高速化と低消費電力を両立させる、歪導入高移動度トランジスタ［５］の採用と、Ｌｏｗ－ｋ層間絶縁膜［６］を用いた高信頼性多層配線技術
３．高性能・高歩留を実現する高精度モデリングおよび製造容易化設計技術
【 工場概要 】
所 在 地：富山県 魚津市 東山８００番地
生産品目 ：デジタル家電用 ４５ｎｍ／６５ｎｍプロセス システムＬＳＩ
生産開始 ：２００７年６月 ４５ｎｍプロセス システムＬＳＩ 量産開始
【 用語の説明 】
［１］ｎｍ（ナノメートル）
百万分の１ミリメートルを１ナノメートルといい、極微なものの寸法を表す単位。元素のなかで最も小さい水素原子の大きさは、約０．１ナノメートルです。
［２］開口率（ＮＡ：ｎｕｍｅｒｉｃａｌ ａｐｅｒｔｕｒｅ）
ＬＳＩのパターンを形成するための露光装置であるステッパーの解像度を決める要素の１つで、大きいほど解像度は高くなります。レンズの大きさと、レンズとウェハとの間の材料の屈折率で決まります。
［３］液浸ＡｒＦスキャナー
ステッパーにおける投影レンズとウェハ間を液体で満たしてレンズ径を大きくして、解像度を高める技術のことです。
［４］超解像形成技術
リソグラフィーの波長よりも小さなパターンを高精度に形成する技術のことです。
［５］歪導入高移動度トランジスタ
局所的なストレスをトランジスタに導入して電流駆動能力を高める技術のことです。
［６］Ｌｏｗ－ｋ層間絶縁膜
比誘電率の小さい層間絶縁膜を用いて、微細化に伴う配線遅延を削減する多層銅配線技術のことです。