ＩＲジャパン、Ｄ級デジタル・オーディオ・アンプ用評価基板をサンプル出荷
インターナショナル・レクティファイアー
１２０Ｗ×２チャネルのデジタル・オーディオ・アンプの評価基板をサンプル出荷
～６０Ｗ出力のときのＴＨＤ＋Ｎ（全高調波歪率＋雑音）０．００４％～
パワー・マネジメント（電源管理）技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン（ＩＲジャパン）株式会社（本社：東京都豊島区、江坂文秀代表取締役社長）は４日、Ｄ級デジタル・オーディオ・アンプ（＊１）用評価基板「ＩＲＡＵＤＡＭＰ４」のサンプル出荷を開始しました。この評価基板は、ホーム・シアター・システム、業務用オーディオ・アンプ、電子楽器、カー・オーディオなどの用途で、一般的な回路設計と比べて実装面積を半分に減らすための参考例になります。
この評価基板には、耐圧２００Ｖのゲート駆動ＩＣ（ＩＲＳ２０９５５）やＩＲ社独自の小型金属パッケージ「ＤｉｒｅｃｔＦＥＴ（Ｒ）」に収めたパワーＭＯＳＦＥＴ（ＩＲＦ６６４５）などを搭載しています。これらのＩＲ社のデバイスを動作させて、音質を評価するための評価基板です。
この評価基板には、１チャネル当たり１２０Ｗ出力のハーフブリッジ駆動回路を２チャネル分搭載しています。負荷抵抗４オームのスピーカに６０Ｗで出力したときのＴＨＤ＋Ｎ（全高調波歪率＋雑音）は０．００４％です。負荷抵抗４オームで１２０Ｗ出力のときの効率は９６％が得られています。過電流保護や、過電圧保護、低電圧保護、直流電圧保護、温度上昇に対する保護などの機能を備えています。アナログ信号処理（プリアンプなど）用の±５Ｖ電源や、Ｄ級ゲート駆動段の負電源を基準とした＋１２Ｖ電源も搭載しています。外部同期可能なＰＷＭ（パルス幅変調）器も備えており、発振周波数は４００ｋＨｚに設定されています（調整可）。通常動作時にはヒートシンク（冷却器）が不要です。電力とチャネル数を変更できるように柔軟な設計になっています。
搭載したゲート駆動ＩＣ（ＩＲＳ２０９５５）は、Ｄ級オーディオ・アンプ用に最適化されており、ＰＷＭ信号入力はシリコン基板に対して浮いた状態になっています。外付け抵抗なしで、正負の出力電流に対して双方向の過電流検出機能があります。デッドタイム（＊２）生成回路を内蔵しており、４種類のデッドタイムから選択できます。これによって、ＴＨＤや残留雑音の低減が可能です。
評価基板の電源電圧は±３５Ｖ、面積は１４．７ｃｍ×１３．２ｃｍです。サンプル価格は５５０米ドル（米国での参考価格）の予定です。
データシートは下記のＵＲＬをご参照ください。
http://www.irf-japan.com/technical-info/appnotes/IRAUDAMP4.pdf
＜ＤｉｒｅｃｔＦＥＴ（Ｒ）パッケージ技術＞
インターナショナル・レクティファイアー（ＩＲ）社が特許を取得したＤｉｒｅｃｔＦＥＴパッケージは、これまでの標準プラスチック・パッケージでは実現できなかった新しい利点を提供します。金属缶に半導体チップを貼り付けた構造で、ボンディング・ワイヤーやリード・ピンがないため、寄生のインダクタンスが少なく、パッケージの裏表両面から放熱が可能という特徴があります。ＤｉｒｅｃｔＦＥＴパッケージは、欧州の規制ＲｏＨＳ（特定物質の使用規制）に準拠しています。
＜用語説明＞
＊１）Ｄ級デジタル・オーディオ・アンプ：アナログ・オーディオ信号をデジタル・パルス信号、すなわちＰＷＭ（パルス幅変調）信号に変換して伝送し、これを低域通過フィルタに通してアナログ・オーディオ信号を復元する方式です。効率が高く回路をＩＣ化しやすいので、機器を小型・軽量化できます。Ｄ級は出力回路の形式の一種です。このほか、アナログ・アンプではＡ級、Ｂ級、ＡＢ級などがあります。
＊２）デッドタイム：ハイサイドＭＯＳＦＥＴとローサイドＭＯＳＦＥＴを同時にオフする期間のことです。ハイサイドＭＯＳＦＥＴとローサイドＭＯＳＦＥＴが同時にオンすると貫通（シュートスルー）電流が流れてしまうため、これを防止するために同時にオフする期間を作ります。出力回路を２つのＭＯＳＦＥＴで構成した場合、上側のＭＯＳＦＥＴ（電流を供給する役割）をハイサイドＭＯＳＦＥＴ、下側のＭＯＳＦＥＴ（電流を吸い込む役割）をローサイドＭＯＳＦＥＴと呼びます。
＜インターナショナル・レクティファイアー（ＩＲ（Ｒ））社について＞
ＩＲ社はパワー・マネジメント（電源管理）技術のリーダーです。ＩＲ社のアナログＩＣ、アナログ／デジタル混在ＩＣ、最先端デバイス、電源回路やモーター制御回路の部品やシステムは、コンピュータ、インバータ・モーター搭載の白物家電製品、照明器具、車載用電子機器、宇宙航空用電子機器など幅広い分野において、機器の小型化、省エネ化、高機能化に貢献しています。本社は米国カリフォルニア州エルセグンド。
注：ＩＲ（Ｒ）、ＤｉｒｅｃｔＦＥＴ（Ｒ）は、Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎの登録商標です。当資料に記載されるその他の製品名の商標はそれぞれの所有者に帰属します。