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ニュースリリースのリリースコンテナ第二倉庫

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2025'02.07.Fri
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2007'08.01.Wed

NECエレクトロニクス、自動車向け電界効果型トランジスタ8製品をサンプル出荷

自動車向けパワーMOSFET8製品の発売について
~40ボルト耐圧で低オン抵抗のPチャネル品を初めて製品化~


 NECエレクトロニクスはこのたび、パワーデバイス事業の強化として、自動車向けにPチャネル(注1)のパワーMOSFET(電界効果型トランジスタ)の小型パッケージ品(8品種)を製品化し、本日よりサンプル出荷を開始することにいたしました。
 新製品は、リレーやモータなど数10アンペア(A)の電流を扱う制御ユニットへの搭載を目的として、40ボルト(V)耐圧で業界最高クラスの低オン抵抗(注2)を実現した「NP50P04」をはじめとする4品種および60V耐圧において従来品と比べ、低オン抵抗の値を最大50%低減した4品種です。
 新製品を用いると、ユーザーである自動車メーカーや部品メーカーは、部品の選択肢が広がる上、低オン抵抗により電流が流れる際に発生する熱を低減することが可能となるため、回路設計の負荷削減を実現できるようになります。
 新製品のサンプル価格は、耐圧およびオン抵抗の値によって異なりますが、一例として40V、9.6ミリオーム(mΩ)のNP50P04が150円/個となっております。量産開始時期は2007年度下期から、量産規模は月産50万個を予定しております。

 自動車市場においては近年、高性能・高機能化や環境問題への対応が強く求められており、自動車の各機能を電気的に制御する電子制御ユニットやその部品となる半導体製品の数が急激に増加しています。制御ユニットに最も多く搭載される電子部品のひとつであるパワーMOSFETは、従来使用されてきたメカニカルリレーのように接触による劣化がなく、応答速度もきわめて速いといったメリットがあるため、パワーステアリングをはじめ、パワーウィンドウ、エアバッグ、ABSなどの制御に使われています。
 パワーMOSFETには、駆動させる際に端子部分に加える電気がマイナスのPチャネル品とプラスのNチャネル品があり、Pチャネル品は数10Aの電流を扱うヘッドランプなどの制御スイッチ、燃料ポンプの開閉スイッチなどに、Nチャネル品はより大きな電流を扱うEPS(Electric Power Steering:電動パワーステアリング)などに搭載されています。当社は、ユーザーへ総合的にパワーMOSFETを提供するには、Pチャネル品とNチャネル品の両方のラインナップを取り揃えることが必要と考え、Nチャネル品のラインナップ拡充に引き続きこのたび、Pチャネル品についても初めて40V耐圧の低オン抵抗品を製品化したものです。
 新製品に共通の特長は、下記の通りであります。

(1)JEDEC標準の小型パッケージ(TO-252)を採用
 従来電装向けに主流であったJEDEC標準のTO-263と比較して、実装面積で約半分となるTO-252を採用しているため、ユーザーの制御ユニットの小型化が可能となる。

(2)AEC-Q101 Stress Test品質認証に準拠
 1995年のJEDEC Meetingにて自動車電装向けディスクリート半導体の品質標準化を目的として設定されたストレス規格であるAEC(Automotive Electronics Council)-Q101に準拠しており、Tch(max)=175℃定格を保証している。

 40V耐圧品の特長は、下記の通りであります。
(3)40V耐圧で低オン抵抗を実現(4製品)
 Nチャネル品の製品拡充で培った技術をもとに、製造プロセスを従来の0.5マイクロメートル(μm)から0.25μmへ微細化したことにより、Pチャネル品においても40Vの耐圧で業界最高クラスとなる9.6mΩを実現しているほか、18mΩ、30mΩ、45mΩのラインナップを揃えている。

 60V耐圧品の特長は、下記の通りであります。
(4)従来品と比べ、低オン抵抗の値を最大50%低減(4製品)
 製造プロセスを従来の0.5μmから0.25μmへ微細化したことにより、従来品の半分となる16.5mΩの低オン抵抗を実現しているほか、30mΩ、50mΩ、75mΩのラインナップを揃えている。

 当社は、本年2月22日に車載用半導体事業のうち、特にマイコンと装置を繋ぐ回路を構成する半導体製品を強化するという発表を行いましたが、新製品はマイコンとリレーやモータを繋ぐ車載用パワーデバイスであります。
当社は、新製品が今後の車載用半導体製品の中核を担う製品として大きな役割を果たすものと考えており、今後も積極的なラインナップ拡充と拡販活動を展開する予定であります。


以上

(注1)Pチャネル:MOSFETのゲートをマイナスの電圧で駆動することができるため、高い電位にある装置の駆動が容易となる。
(注2)オン抵抗:MOSFETがオン状態で動作した場合の抵抗値のこと。抵抗が小さくなればなるほど電流を多く流せる。

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